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91.
折射率连续周期分布一维光子晶体的带隙分析   总被引:3,自引:0,他引:3  
微分传输矩阵法(DTMM)可以解析求解一维非均匀介质中的波动方程。用该方法,对几种折射率连续且周期分布的一维光子晶体进行了带隙分析。结果表明,折射率连续变化的一维周期结构也具有明显的带隙特征,折射率变化越平缓,光带隙的宽度越小。对于折射率正弦变化的一维光子晶体,其折射率变化得越剧烈,光子晶体的中心频率越小,带隙越宽;同时,折射率的平均值越大,中心频率越小,带隙越窄。由于材料的物理特性都是连续变化的,同样可以把结构推广到一维周期性功能梯度材料。  相似文献   
92.
1引言许多科学和工程计算问题都可以归结为无界区域上的偏微分方程边值问题.而求解椭圆方程边值问题的常用技术是有限元方法,可是对于无界区域,在用有限元方法求解时,往往遇到困难.最简单的办法显然是直接略去区域的无界部分求解,但这样做或者导致过低的计算精度,或者要付出很高的计算代价.边界归化,即将求解偏微分方程边值问题转化为边界积分方程,是求解某些无界区域问题的强有力的手段.自70年代以来,有限元和  相似文献   
93.
用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出MgxZn1-xO(x=0.16)薄膜,用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示,MgxZn1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构,并且具有沿c轴的择优取向;随着退火温度的升高,(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大,(002)XRD峰半高宽(F 关键词: xZn1-xO薄膜')" href="#">MgxZn1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火  相似文献   
94.
By means of the Leggett-Williams fixed-point theorem, criteria are developed for the existence of at least three positive solutions to the one-dimensional p-Laplacian boundary value problem, ((y′))′ + g(t)f(t,y) = 0, y(0) - B0(y′(0)) = 0, y(1) + B1(y′(1)) = 0, where (v) |v|p−2v, p > 1.  相似文献   
95.
In this paper, it is shown that an l-prime lattice-ordered ring in which the square of every element is positive must be a domain provided it has non-zero f-elements and be an l-domain provided it has a left (right) identity ele-ment or a central idempotent element .More generally,the same conclusion follows if the condition a2≥0 is replaced by p(a)≥0 or f(a,b)≥0 for suitable polyno-mials p(x) and f(x, y) . It is also shown that an l-algebra is an f-algebra provided it is archimedean, contains an f-element e>0 with r1(e)=0, and satifies a polynomial identity p(x)≥0 or f(x,y)≥0 (for suitable f(x,y)).  相似文献   
96.
利用不同能量的质子在大气环境中辐照拟南芥的含水种子,能量从1.1MeV到6.5MeV.根据模拟计算结果,相应能量的离子对种子的损伤区域分别为胚的浅层、胚的一半和整个胚.本实验中,具有较高能量的质子可以完全均匀地作用于拟南芥生长、发育及遗传密切相关的胚茎端分生组织,而能量较低的质子则不能直接作用于茎端分生组织.实验所用质子注量范围为4×109ions/cm2—1×1014ions/cm2.实验结果显示,虽然拟南芥种子的发芽率和幼苗存活率随离子注量增加都呈现下降的趋势,但对应于不同的胚损伤区域,即在不同的入射质子能量条件下,注量曲线具有各自的特征.实验结果显示,拟南芥种子中除了胚茎端分生组织作为对离子辐照敏感的辐射主靶外,茎端分生组织之外的胚区域可能作为离子辐射次靶,影响到最终的辐射生物学效应. 关键词: 离子辐照 拟南芥 胚区域 生物效应  相似文献   
97.
准二维无序系统的电子结构   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
对形如Nt×Nl型准二维无序系统,只考虑格点之间的最近邻跳跃积分,采用特殊的格点编号方案,在单电子近似下,系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵,借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵,再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算. 重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统, 将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比,发现随维度的增加,系统的能带有所展宽,能态密度分布发生很大的变化,其峰值数量呈偶数规律增加. 并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态,处于这些态下的系统具有较大电导. 从单链到多链,相当于扩大了系统的关联范围,使系统出现了类似非对角长程关联的行为. 关键词: 准二维无序系统 态密度 局域长度 电导  相似文献   
98.
Feng  S.-W.  Tsai  C.-Y.  Cheng  Y.-C.  Liao  C.-C.  Yang  C.C.  Lin  Y.-S.  Ma  K.-J.  Chyi  J.-I. 《Optical and Quantum Electronics》2002,34(12):1213-1219
A side-bump feature in a photoluminescence (PL) spectrum of an InGaN compound was widely observed. With reasonable fitting to PL spectra with three Gaussian distributions, the temperature variations of the peak positions, integrated PL intensities, and peak widths of the main and first side peaks of three InGaN/GaN multiple quantum well samples with different nominal indium contents are shown and interpreted. The existence of the side peaks is attributed to phonon–replica transitions. The variations of the peak position separations and the decreasing trends of the first side peak widths beyond certain temperatures in those samples were explained with the requirement of phonon momentum condition for phonon–replica transitions. In the sample with 25% nominal indium content, the phonon–replica transition could become stronger than the direct transition of localized states.  相似文献   
99.
采用矩阵奇异值分解(singular value decomposition, SVD)的方法,对高温射频超导量子干涉仪(HTc rf-SQUID)采集到的单通道心磁信号进行处理.证明了对于近似周期性的心磁信号,在无参考噪声的情况下矩阵奇异值分解的方法与自适应窄带陷波相结合有较好的消除广谱噪声的效果. 关键词: 高温射频超导量子干涉仪 心磁信号 奇异值分解 噪声消除  相似文献   
100.
本文利用一个熟知的多元积分变量变换定理对Rp上的不变密度给出了一个不涉及Haar测度理论的纯微积分处理.对较一般的情形以一个等式的形式给出了非负Lebesgue可测函数为不变密度的充要条件,从而提供了求不变密度的一个直接方法.进一步还对变换群可迁地作用于集的情形导出了所谓严格不变密度的统一的显式表达,并由此证明了严格不变密度的存在性与唯一性.  相似文献   
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